日聯(lián)科技經(jīng)過(guò)十年發(fā)展,日聯(lián)科技已在無(wú)錫國家高新區自建4萬(wàn)余平米的現代化工廠(chǎng)和研發(fā)制造中心,并在深圳、重慶兩地建有全資子公司(工廠(chǎng)),在北京、沈陽(yáng)、天津、西安、鄭州、成都、武漢、青島、寧波、廣州、柳州、廈門(mén)、昆明、烏魯木齊等地設有辦事處。公司與美洲(美國、墨西哥、巴西、阿根廷)、歐洲(英國、德國、意大利、俄羅斯)、亞洲(東南亞、日韓、中東、土耳其)、澳大利亞、南非等全球多地代理商和分銷(xiāo)商合作,建立了銷(xiāo)售和服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)。產(chǎn)品已出口到40余個(gè)國家及地區。
倒裝芯片的英文名稱(chēng)稱(chēng)為Flip Chip,它用于將芯片的觸點(diǎn)與基板,載體和電路板連接起來(lái)。在連接過(guò)程中,由于芯片的凸塊向下連接,因此稱(chēng)為倒裝芯片。
在典型的倒裝芯片封裝中,芯片通過(guò)3-5厚的焊料凸點(diǎn)連接到芯片載體。底部填充材料用于保護焊料凸點(diǎn)。芯片Chip和PCB板通過(guò)倒裝技術(shù)連接在一起。
在日常生活中,許多電子組件都使用倒裝芯片焊接技術(shù),例如計算機中的存儲棒,這很常見(jiàn)。如果從橫截面切開(kāi)內存條,則芯片和電路板通過(guò)倒裝芯片技術(shù)連接。
倒裝芯片主要通過(guò)四個(gè)步驟完成:
步驟1:凸點(diǎn)底部金屬化(UBM)
凸塊金屬化是為了激發(fā)半導體中PN結的性能。其中,適合熱壓倒裝芯片連接的凸點(diǎn)材料是金??梢酝ㄟ^(guò)傳統的電解金電鍍方法或柱形凸塊方法來(lái)產(chǎn)生凸塊。后者是引線(xiàn)鍵合技術(shù)中常用的凸點(diǎn)形成工藝。
凸點(diǎn)底部金屬化(UBM)的沉積方法主要包括:
濺射:使用濺射在硅晶片上逐層沉積薄膜,然后通過(guò)光刻形成UBM圖案,然后蝕刻非圖案的部分。
蒸鍍:使用掩模,通過(guò)蒸發(fā)在硅晶片上逐層沉積。該選擇性沉積掩??捎糜谛纬上鄳耐箟K。
化學(xué)鍍:化學(xué)鍍用于選擇性地將Ni鍍在A(yíng)l焊盤(pán)上。鋅酸鹽工藝通常用于處理Al表面。無(wú)需真空和圖案蝕刻設備,成本低廉。
步驟2:芯片凸點(diǎn)
該部分將形成凸點(diǎn),可以將其視為P-N結的電極,類(lèi)似于處理電池的輸出端子。
形成凸點(diǎn)的常見(jiàn)方法:蒸發(fā)的焊料塊、電鍍錫球、印刷凸點(diǎn)、釘頭焊錫凸塊、放球凸點(diǎn)、焊錫轉移凸點(diǎn)
觀(guān)察典型的電鍍焊料凸點(diǎn):在掃描電子顯微鏡下觀(guān)察完成的凸點(diǎn)微觀(guān)形狀是均勻的金屬球。
步驟3:將凸起的芯片組裝到基板/板上
在熱壓連接過(guò)程中,芯片的凸塊通過(guò)加熱和加壓而連接到基板的焊盤(pán)。
此過(guò)程要求芯片或基板上的凸塊是金凸塊,并且同時(shí)必須有一個(gè)可以連接到凸塊的表面,例如金或鋁。對于金塊,連接溫度通常約為300°C,以便在連接過(guò)程中充分軟化材料并促進(jìn)擴散。
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